国家知识产权局信息数据显现，深圳镓楠半导体科技有限公司请求一项名为“一种氮化镓器材及其制造的进程”的专利，公开号CN121240505A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本请求供给了一种氮化镓器材，包含：外延结构、构成在外延结构上的栅极，栅极包含构成在外延结构上的P-GaN部、构成在P-GaN部上的栅金属，至少部分的P-GaN部未被栅金属掩盖以构成PGaN膀子，栅极还包含构成在栅金属上方的榜首钝化层、构成在榜首钝化层上方的榜首金属部；其间，沿垂直于衬底主表面的方向调查，至少部分的榜首金属部掩盖PGaN膀子。选用MIS加肖特基混合结构，PGAN膀子处的P-GaN部不再浮空，当栅极加正压时，PGaN膀子处会有电势加在P-GaN部上方辅佐P-GaN部敞开，从而在下降栅极漏电的前提下下降栅极下方沟道导通电阻。一起PGaN膀子处的MIS结构能调理PGaN膀子处的电场，优化动态功能提高器材可靠性。

  天眼查资料显现，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，坐落深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。经过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司产业线条，此外企业还具有行政许可7个。

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