各位同学我们好，欢迎持续做客电子工程学习圈，今日咱们持续来讲这本书，硬件体系工程师宝典。上篇咱们提到晶体三极管（BJT）能够看成是一个通过“监督”基极-发射极电流来操控集电极-发射极电流的元器件，并给出了一些选型参阅。今日来剖析下BJT在实践中的使用。

  当三极管导通后，三极管的基极电压因为基极-发射极间二极管的原因，电压会被钳位在0.6~0.7V，此刻因基极和发射极间的电阻很小，就会有很大的电流通过，烧坏BJT管子，这时能够在上图中POWER_UP和1基极之间串联电阻（如4.7kΩ）。

  晶体三极管常用在接口电平不匹配时的使用场合，BJT在电平转化中的使用如下图所示：

  如上图所示完结了电平5V转3.3V，电路中使用了PNP型三极管。IR_OUT_5V是输入的无线红外信号，当IR_OUT_5V输入高电平时，Q8的发射极和基极无法导通，处于截止状况。R21上拉电阻用于确保基极的时序，当IR_OUT_5V输出状况不稳守时，基极依然为高电平，不会误导通。当IR_OUT_5V为低电平时，那么Q8基极逻辑电平为0V，发射极和基极之间电压到达敞开电压，电流从发射极流向基极，此刻发射极和集电极导通，此刻IR_CHECK输出高电平。这就完结了5V和3.3V的逻辑电平转化。

  如上图所示是使用三极管的12~40V的升压电路。Tuner+40V_PWM2输出PWM（脉冲宽度调制）波，通过调整占空比来操控Q8集电极和发射极的导通与关断。当Q8导通，此刻12V通过电阻R23，功率电感L2，再通过Q8的集电极和发射极接地，此刻通路上会有很大的改变电流，电感感受到这部分改变的电流后，会构成一个感应电动势，通过操控PWM操控高电平在Q8上效果的时刻，使L2上的感应电动势到达要求值后，PWM在Q8基极输入低电平，Q8截止，那么12V电压+电感L2生成的感应电动势经VD1后加载到CA4上，完结升压。CA4的效果是滤除电源中的噪声，R233上拉电阻确保上电时的时序，避免误导通，许多电疗设备上也会用到这个电路来发生电影响脉冲波。

  BJT还常用来组成图腾柱电路，图腾柱电路的效果在于提高电流供给才能，敏捷完结对门极电荷的充电进程，如下图所示：

  如上图所示电路效果是加快驱动MOSFET电源功率管的栅极。三极管Q18的基极接单片机PWM波，当Q18的基极输入低电平时，Q18的集电极和发射极之间截止，Q19和Q20的基极经10kΩ电阻R82上拉到VCC，那么现在的通路经Q19基极到发射极，再到R109，再到R110构成回路，Q19的集电极和发射极处于导通状况，驱动后级MOSFET管电路。当Q18导通，此刻Q19和Q20的基极输入低电平，Q19截止，此刻的Q20的发射极接后端电路，因为后端电路容性负载放电，会经R109到Q20的发射极，再到Q20的基极和集电极，构成放电回路。完结加快驱动MOSFET栅极的意图。图中R109起到MOSFET栅极限流的效果，VD27是加快放电二极管。

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