开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如

  IGBT是结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET由于栅极是隔离的，因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点，但缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。通过弥补这两种器件各自的缺点，IGBT成为一种具有高输入阻抗、开关速度快(IGBT开关速度比MOSFET慢，但仍比双极晶体管快。) ，即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的晶体管。

  当向发射极施加正的集电极电压VCE，同时向发射极施加正的栅极电压VGE时，IGBT便能导通，集电极和发射极导通，集电极电流IC流过。

  IGBT的等效电路如上图所示。当栅极-发射极（G-E）和集电极-发射极（C-E）通路均发生正偏置时，N沟道MOSFET导通，导致漏极电流流动。该漏极电流也流向QPNP的基极并导致IGBT导通。由于QPNP的直流电流增益（α）非常小，因此几乎整个发射极电流（IE(pnp)）都作为基极电流（IB(pnp)）流动。但部分IE(pnp)会作为集电极电流（IC(pnp)）流动。IC(pnp)无法开启QNPN，因为它绕过了QNPN基极和发射极之间插入的RBE。

  因此，IGBT的几乎所有集电极电流都通过QPNP的发射极-基极通路作为N沟道MOSFET的漏极电流流动。此时，空穴从QPNP的发射极注入到N通道MOSFET的高电阻漂移层。这导致漂移层的电阻率（Rd(MOS））大幅度的降低，以此来降低了导通期间的导通电阻。这种现象称为电导率调制。

  IGBT 的安全工作区（SOA）是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件。实际上，不仅需要在安全工作区内使用IGBT，还需对其所在区域实施温度降额。安全工作区分为正向偏置安全工作区（FBSOA,Forward Bias Safe Operating Area）和反向偏置安全工作区（RBSOA, Reverse Bias Safe OperatingArea）。

  请注意，当设计的 VCE－IC工作轨迹偏离产品本身安全工作区时，产品可能会发生发生意外故障。因此，在设计电路时，在确定与击穿容限相关的具体特性和电路常数时，必须密切关注注意耗散和其他性能问题。例如，反向偏置安全工作区具有温度特性（在高温下劣化），VCE－IC的工作轨迹根据栅极电阻Rg和栅极电压VGE而变化。

  因此，有必要在了解工作环境和关断时的最小栅极电阻值后，才进行Rg和 VGE设计。

  市场上有不一样的IGBT 产品，我们大家可以根据实际应用情况、安装类型（例如通孔、面板安装或表面安装）来挑选。

  将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。

  IGBT 是一种功率半导体器件，用于电子开关，控制和改变电流的大小频率，是电能转换及应用的核心芯片。由于篇幅有限，IGBT 涉及的技术内容、应用领域很广，所以欢迎各位在文末交流分享，一起讨论学习。

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